Второй Международный конгресс по радиационной физике, сильноточной электронике и модификации материалов работал в Томске с 11 по 15 сентября. Организаторами этого высокого научного форума стали Институт сильноточной электроники СО РАН; Томский политехнический университет; Научно-исследовательский институт высоких напряжений; Научно-исследовательский институт ядерной физики.
Конгресс представлял собою согласованное по времени, месту и организации проведение трех традиционных, близких по направлениям международных конференций: 13-й конференции \"Радиационная физика и химия конденсированных сред\", (13-RPC), 14-й конференции \"Сильноточная электроника\", (14-SHCE), 8-й конференции \"Модификация свойств материалов потоками радиации\", (8-CMM).
Идея проведения такого форума была предложена в 1999 году профессорами Томского политехнического университета Ю.П. Похолковым и В.М. Лисицыным и была поддержана академиками Г.А. Месяцем, С.П. Бугаевым. Проведенный в 2000 году Первый конгресс доказал целесообразность именно такого объединения сил представителей фундаментальной науки, разработчиков радиационных технологий и оборудования для этих технологий.
Появилась возможность совместного обсуждения общих проблем физиками, техниками, технологами, выявления наиболее актуальных задач. И вот ученые собрались уже на Второй Международный конгресс по радиационной физике, сильноточной электронике и модификации материалов. С приветственным словом к участникам конгресса обратились заместитель губернатора Томской области по научно-технической и инновационной политике и образованию В.И. Зинченко, проректор по научной работе ТПУ В.А. Власов.
Необходимый рабочий тон был задан на первом заседании тремя пленарными докладами: \"HighCurrent Electronics: Current Status and Future Prospects\" (член-корреспондент РАН Н.А. Ратахин, директор ИСЭ СО РАН); \"Creation and Evolution of Primary Defects in Ionic Crystals\" (заведущий кафедрой лазерной и световой техники ТПУ, профессор, доктор физико-математических наук В.М. Лисицын) и \"Recent Progress of Vacuum Electron - Ion - Plasma Technologies of Surface Materials Modification in IHCE\" (доктор технических наук Н.Н. Коваль, заместитель директор ИСЭ СО РАН).
В течение всех пяти дней работы участники держали уровень, заявленный в начале. О грандиозности события можно судить по формальным признакам. Фактическое число участников превысило более 400 человек. Официально зарегистрировались 349 человек. Из них около 170 - приезжие. 56 прибыли из-за рубежа. География участия - самая обширная: Алжир, Болгария, Чехия, Корея, Франция, Германия, Польша, Эстония, Китай, Таиланд, Турция, США, Япония, Украина - всего 19 стран. Широко были представлены исследовательские центры и научные организации России и стран СНГ.
К началу работы конференции оргкомитет подготовил и издал на английском языке программу конференции и трёхтомник материалов конгресса (общий объём - 166 печатных листов, тираж - 500 экземпляров). Все три тома изданы в виде приложений к журналам \"Известия вузов. Физика\". Материалы в печатном виде, а также на компакт-дисках были получены всеми участниками конгресса.
Отзывы о конгрессе - самые положительные. Вот что о работе 13-й Международной конференции по радиационной физике и химии неорганических материалов в один из дней сказал проректор по научной работе и международным связям, профессор, доктор физико-математических наук Казбек Сулейменович Бактыбаев (Евразийский национальный университет им. Л.Н. Гумилёва, Казахстан):
- Собрались люди науки, которые очень много работают каждый в своей сфере. Не случайно конгресс вызывал столь огромный интерес, секрет которого в том, что каждый из нас становится сопричастен к новому Знанию. И это - прекрасный стимул!
На момент разговора ещё не было известно о том, что конгресс примет решение -обратиться к Правительству Республики Казахстан с просьбой поддержать инициативу Евразийского национального университета им. Л.Н. Гумилёва о проведении очередной 14-й конференция по радиационной физике и химии неорганических материалов в г. Астана Республики Казахстан в 2009 году\". Таким образом, реплику профессора Бактыбаева можно считать настоящим эпиграфом к расширяющимся научным и иным связям между Россией и Казахстаном.
По мнению сопредседателя 8-й Международной конференции по модификации материалов пучками заряженных частиц и потоками плазмы, заместителя директора ИСЭ СО РАН Николая Николаевича Коваля:
- Конференция прошла под знаком высокой активности, было получено очень много новой информации. И вообще, есть ощущение свежей струи, обновления. Нам удалось рассмотреть такие методы, которые определяют будущее. Глубокие доклады были представлены различными школами, что не может не радовать. Присутствует некий соревновательный элемент, который заставляет учёного находиться в постоянном движении, научном поиске.
Столь же близкую (как и лаконичную) оценку конференции дал Почётный профессор ТПУ Кенсуке Уемура, президент международного технического консалтингового общества (Япония), доклад которого завершил работу 8-й Международной конференции. На вопрос - \"Каков на ваш взгляд инновационный потенциал представленных на конференции докладов?\" - профессор ответил: \"Чрезвычайно высокий…\"
Форум завершился церемонией награждения молодых учёных, участвовавших в работе конгресса, и принятием решения: \"Считать целесообразным проведение очередного, 3-го конгресса в 2012 году в г. Томске\".
О.Н.ПЛОТНИКОВ.